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R5013ANX
Transistors
Electrical characteristics (Ta=25 C)
Parameter
Gate-source leakage
Drain-source breakdown voltage
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Symbol
I GSS
V (BR)DSS
I DSS
V GS(th)
Min.
?
500
?
2.5
Typ.
?
?
?
?
Max.
± 100
?
100
4.5
Unit
nA
V
μ A
V
Conditions
V GS =± 30V, V DS = 0V
I D = 1mA, V GS = 0V
V DS = 500V, V GS = 0V
V DS = 10V, I D = 1mA
Static drain-source on-state resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
R DS(on)
| Y fs |
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
4.0
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
0.29
?
1300
500
40
30
32
90
30
35
8
15
0.38
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
I D = 6.5A, V GS = 10V
I D = 6.5A, V DS = 10V
V DS = 25V
V GS = 0V
f = 1MHz
I D = 6.5A, V DD 250V
V GS = 10V
R L = 38.5 Ω
R G = 10 Ω
V DD 250V
I D = 13A
V GS = 10V
R L = 19.2 Ω / R G = 10 Ω
? Pulsed
Body diode characteristics (Source-drain) (Ta=25 C)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD ?
Min.
?
Typ.
?
Max.
1.5
Unit
V
Conditions
I S = 13A, V GS =0V
? Pulsed
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